9. 三星电子抢先台积电一步 批量产出全球首款3纳米芯片

25日，三星电子在韩国京畿道华城的极紫外线光刻(EUV)专用代工(半导体委托生产)设施V1生产线举行了全球首次应用全环绕栅极(GAA)技术的3纳米晶圆代工制程芯片的出厂仪式。

三星电子从2000年代初开始研究GAA晶体管结构。三星电子的3纳米芯片批量生产比业界领头羊的台积电(TSMC)领先一步。继存储器领域之后，三星电子又在晶圆代工领域奠定了第一的基础。图为当天相关负责人正在公开3纳米晶圆。